rectifier diode 整流二极管一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。通常它包含一个pn结，有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。p区的载流子是空穴,n区的载流子是电子，在p区和n区间形成一定的位垒。外加使p区相对n区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7v）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。整流二极管

本产品的品牌是IXYS/艾赛斯，型号是S6020L，控制方式是双向，极数是二极，封装材料是玻璃封装，封装外形是平板形，关断速度是高频(快速)，散热功能是带散热片，频率特性是高频，功率特性是中功率，额定正向平均电流是600（A），控制极触发电流是600（mA），Zui大稳定工作电流是6（A），反向重复峰值电压是20（V）